集微網消息，據SamMobile報道，在過去的幾年里，由于芯片制造良率較低和散熱問題，三星代工失去了幾家芯片客戶，而客戶選擇轉投臺積電。現在三星正依靠其即將推出的3nm芯片制造工藝來贏回轉投臺積電的客戶。據悉，三星3nm芯片良率已經超越臺積電3nm工藝良率。

據KMIB News報道，投資公司Hi Investment & Securities發布報告稱，三星代工4nm半導體制造工藝的良率已突破75%大關。與此同時，臺積電的這一比例為80%。半導體制造工藝中的良率意味著有多少半導體晶圓是合格可用的，產量越高，使用半導體晶圓可以制造的芯片數量就越多，從而減少成本和提升效率。雖然臺積電在4nm工藝方面仍領先于三星代工，但據報道，三星代工在3nm芯片良率上已經超越臺積電。

報道稱，三星代工3nm芯片制造工藝的良率達到60%。相比之下，臺積電的3nm芯片良率約為55%。由于臺積電在3nm領域落后于三星代工，因此三星有可能贏回在4nm和5nm工藝方面輸給臺積電的客戶。

據稱，英偉達和高通對三星代工的第二代3nm（SF3）工藝感興趣，因為臺積電的大部分芯片產能都已被蘋果預訂。此外，臺積電日本和美國工廠生產的芯片成本預計將比中國臺灣芯片工廠分別高出15%和30%。因此，更高的成本和更低的產能相結合可能會讓英偉達、高通和其他公司考慮三星代工的3nm芯片制造工藝。AMD還可能向三星代工下訂生產3nm和4nm芯片的訂單。

為了實現供應鏈多元化，英偉達甚至愿意使用英特爾代工廠的2nm工藝來制造未來的芯片，該工藝將于2024年底推出。相比之下，三星代工和臺積電計劃在2025年使用2nm工藝制造芯片。另外，1.4nm芯片制造工藝將于2027年面世。

（校對/張杰）
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