隨著移動互聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展，越來越多的設(shè)備接入到移動網(wǎng)絡(luò)中，新的服務(wù)和應(yīng)用層出不窮，全球移動寬帶用戶在2018年有望達到90億，到2020年，預計移動通信網(wǎng)絡(luò)的容量需要在當前的網(wǎng)絡(luò)容量上增長1000倍。移動數(shù)據(jù)流量的暴漲將給網(wǎng)絡(luò)帶來嚴峻的挑戰(zhàn)。在大形勢的影響下，5G應(yīng)運而生。

      隨著今年6月6日，工信部向移動、電信、聯(lián)通三大運營商下發(fā)5G牌照，這也標志著中國5G時代的到來。同時，按照計劃，中國也將成為全球第一批5G商用的國家之一。同時，在今年的智能手機市場上，我們也注意到，相對于4G的緩慢發(fā)酵，5G智能手機市場可以說是先于5G商用而迎來了大爆發(fā)。

      5G不僅僅是4G的增量改進，它是移動通信技術(shù)的下一個重大演變，其系統(tǒng)性能將提升幾個數(shù)量級以上。隨著5G的商用，射頻前端芯片需求增加，直接推動射頻前端芯片市場的成長。

      隨著智能設(shè)備、無線網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的演進，對器件內(nèi)射頻系統(tǒng)的性能和復雜度都大幅提升。采用RF-SOI工藝，能做到提高襯底絕緣體，降低襯底寄生效應(yīng)，擁有良好的射頻性能，與III-V相近，同時可提供同一顆芯片上的集成邏輯控制。

     與此同時我們注意到，一方面多模多頻使得射頻前端芯片需求增加，直接推動射頻前端芯片市場成長，Navian預測，2020年僅移動終端中射頻前端芯片的市場規(guī)模將達到212億美元，年復合增長率達15.4%;

     另一方面，更高功率輸出、更高工作頻段對射頻器件性能和可集成能力提出了更高的挑戰(zhàn)，例如對于Sub-6GHz頻段，由于5G頻段的頻率更高、衰減多，未來可能還需射頻套件的輸出功率從原有的23dBm提升至26dBm，以支持更好的空間覆蓋，這對射頻器件的設(shè)計難度也提出新的挑戰(zhàn)。

     同時，由于此前RF-SOI在4G手機射頻開關(guān)應(yīng)用中就占有絕對的市場優(yōu)勢;而高性能、大尺寸的RF-SOI襯底制備和射頻開關(guān)代工技術(shù)已證明能夠滿足5G Sub-6 GHz應(yīng)用的性能和產(chǎn)能需求，未來RF-SOI無疑將把持5G Sub-6GHz下的手機射頻開關(guān)市場。

      隨著5G的發(fā)展，未來整個射頻前端供應(yīng)鏈或迎來重構(gòu)，而借此機會，中國國內(nèi)的廠商也將會獲得更多的發(fā)展機遇。

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