MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或許稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是能夠?qū)φ{(diào)的，他們都是在P型backgate中構(gòu)成的N型區(qū)。在大都情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即便兩頭對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器材的功用。這樣的器材被認(rèn)為是對(duì)稱的。

　　現(xiàn)在在商場(chǎng)運(yùn)用方面，排名榜首的是消費(fèi)類電子電源適配器產(chǎn)品。而MOS管的運(yùn)用范疇排名第二的是計(jì)算機(jī)主板、NB、計(jì)算機(jī)類適配器、LCD顯示器等產(chǎn)品，跟著國(guó)情的開(kāi)展計(jì)算機(jī)主板、計(jì)算機(jī)類適配器、LCD顯示器對(duì)MOS管的需求有要超越消費(fèi)類電子電源適配器的現(xiàn)象了。

　　第三的就屬網(wǎng)絡(luò)通信、工業(yè)操控、轎車電子以及電力設(shè)備范疇了，這些產(chǎn)品關(guān)于MOS管的需求也是很大的，特別是現(xiàn)在轎車電子關(guān)于MOS管的需求直追消費(fèi)類電子了。

　  下面臨MOS失效的原因總結(jié)以下六點(diǎn)，然后對(duì)1，2要點(diǎn)進(jìn)行剖析：

　　1：雪崩失效(電壓失效)，也就是我們常說(shuō)的漏源間的BVdss電壓超越MOSFET的額定電壓，而且超越到達(dá)了必定的才能然后導(dǎo)致MOSFET失效。

　　2：SOA失效(電流失效)，既超出MOSFET安全作業(yè)區(qū)引起失效，分為Id超出器材標(biāo)準(zhǔn)失效以及Id過(guò)大，損耗過(guò)高器材長(zhǎng)期熱堆集而導(dǎo)致的失效。

　　3：體二極管失效：在橋式、LLC等有用到體二極管進(jìn)行續(xù)流的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中，因?yàn)轶w二極管遭受損壞而導(dǎo)致的失效。

　　4：諧振失效：在并聯(lián)運(yùn)用的過(guò)程中，柵極及電路寄生參數(shù)導(dǎo)致震動(dòng)引起的失效。

　　5：靜電失效：在秋冬時(shí)節(jié)，因?yàn)槿梭w及設(shè)備靜電而導(dǎo)致的器材失效。

　　6：柵極電壓失效：因?yàn)闁艠O遭受反常電壓尖峰，而導(dǎo)致柵極柵氧層失效。

　　雪崩失效剖析(電壓失效)

　　究竟什么是雪崩失效呢，簡(jiǎn)略來(lái)說(shuō)MOSFET在電源板上因?yàn)槟妇€電壓、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等等系統(tǒng)電壓疊加在MOSFET漏源之間，導(dǎo)致的一種失效形式。簡(jiǎn)而言之就是因?yàn)榫褪荕OSFET漏源極的電壓超越其規(guī)則電壓值并到達(dá)必定的能量極限而導(dǎo)致的一種常見(jiàn)的失效形式。

　　下面的圖片為雪崩測(cè)驗(yàn)的等效原理圖，做為電源工程師能夠簡(jiǎn)略了解下。

　   可能我們經(jīng)常要求器材生產(chǎn)廠家對(duì)我們電源板上的MOSFET進(jìn)行失效剖析，大大都廠家都只是給一個(gè)EAS.EOS之類的定論，那么究竟我們?cè)鯓訁^(qū)別是否是雪崩失效呢，下面是一張通過(guò)雪崩測(cè)驗(yàn)失效的器材圖，我們能夠進(jìn)行對(duì)比然后確定是否是雪崩失效。

　　雪崩失效的防止措施

　　雪崩失效歸根結(jié)底是電壓失效，因而防止我們側(cè)重從電壓來(lái)考慮。詳細(xì)能夠參閱以下的方法來(lái)處理。

　　1：合理降額運(yùn)用，現(xiàn)在行業(yè)界的降額一般選取80%-95%的降額，詳細(xì)情況依據(jù)企業(yè)的保修條款及電路重視點(diǎn)進(jìn)行選取。

　　2：合理的變壓器反射電壓。

　　3：合理的RCD及TVS吸收電路規(guī)劃。

　　4：大電流布線盡量選用粗、短的布局結(jié)構(gòu)，盡量削減布線寄生電感。

　　5：挑選合理的柵極電阻Rg。

　　6：在大功率電源中，能夠依據(jù)需要恰當(dāng)?shù)募尤隦C減震或齊納二極管進(jìn)行吸收。

　   SOA失效(電流失效)

　　再簡(jiǎn)略說(shuō)下第二點(diǎn)，SOA失效

　　SOA失效是指電源在運(yùn)行時(shí)反常的大電流和電壓一起疊加在MOSFET上面，形成瞬時(shí)部分發(fā)熱而導(dǎo)致的損壞形式。或許是芯片與散熱器及封裝不能及時(shí)到達(dá)熱平衡導(dǎo)致熱堆集，繼續(xù)的發(fā)熱使溫度超越氧化層約束而導(dǎo)致的熱擊穿形式。

　　關(guān)于SOA各個(gè)線的參數(shù)限定值能夠參閱下面圖片。　

　   1：受限于最大額定電流及脈沖電流

　　2：受限于最節(jié)操溫下的RDSON。

　　3：受限于器材最大的耗散功率。

　　4：受限于最大單個(gè)脈沖電流。

　　5：擊穿電壓BVDSS約束區(qū)

　　我們電源上的MOSFET，只需保證能器材處于上面約束區(qū)的范圍內(nèi)，就能有效的躲避因?yàn)镸OSFET而導(dǎo)致的電源失效問(wèn)題的發(fā)生。

　　這個(gè)是一個(gè)非典型的SOA導(dǎo)致失效的一個(gè)解刨圖，因?yàn)槿ミ^(guò)鋁，可能看起來(lái)不那么直接，參閱下。

      SOA失效的防止措施：

　　1：保證在最差條件下，MOSFET的所有功率約束條件均在SOA約束線以內(nèi)。

　　2：將OCP功用必定要做準(zhǔn)確詳盡。

　　在進(jìn)行OCP點(diǎn)規(guī)劃時(shí)，一般可能會(huì)取1.1-1.5倍電流余量的工程師居多，然后就依據(jù)IC的維護(hù)電壓比方0.7V開(kāi)端調(diào)試RSENSE電阻。有些有經(jīng)驗(yàn)的人會(huì)將檢測(cè)推遲時(shí)間、CISS對(duì)OCP實(shí)踐的影響考慮在內(nèi)。可是此刻有個(gè)更值得重視的參數(shù)，那就是MOSFET的Td(off)。它究竟有什么影響呢，我們看下面FLYBACK電流波形圖(圖形不是太清楚，非常抱愧，主張雙擊擴(kuò)大觀看)。

　　從圖中能夠看出，電流波形在快到電流尖峰時(shí)，有個(gè)跌落，這個(gè)跌落點(diǎn)后又有一段的上升時(shí)間，這段時(shí)間其本質(zhì)就是IC在檢測(cè)到過(guò)流信號(hào)履行關(guān)斷后，MOSFET自身也開(kāi)端履行關(guān)斷，可是因?yàn)槠鞑淖陨淼年P(guān)斷推遲，因而電流會(huì)有個(gè)二次上升渠道，如果二次上升渠道過(guò)大，那么在變壓器余量規(guī)劃缺乏時(shí)，就極有可能發(fā)生磁飽滿的一個(gè)電流沖擊或許電流超器材標(biāo)準(zhǔn)的一個(gè)失效。

　　3：合理的熱規(guī)劃余量，這個(gè)就不多說(shuō)了，各個(gè)企業(yè)都有自己的降額標(biāo)準(zhǔn)，嚴(yán)格履行就能夠了，不行就加散熱器。